[发明专利]金属硅酸盐膜的成膜方法及其装置、半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200580009935.5 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1938832A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 高桥毅;青山真太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/31;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将HTB气体和乙硅烷气体导入处理容器(1)内，通过CVD在硅基板(W)上形成硅酸铪膜。通过埋设在支撑基板的基座(2)上的加热器(5)，控制基板温度，进行成膜。该成膜时的基板温度控制在HTB分解成氢氧化铪和异丁烯的温度以上、并且小于乙硅烷气体的自身分解温度，优选在350℃～450℃。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硅酸盐 方法 及其 装置 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其特征在于，包括：准备基板的工序；和通过使用金属醇盐气体和硅氢化物气体的CVD，在所述基板上形成金属硅酸盐膜的工序，所述成膜工序，将所述基板的温度设定为所述金属醇盐分解成金属氢氧化物和一定的中间体的温度以上、并且小于所述硅氢化物的自身分解温度而进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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