[发明专利]化合物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580009941.0 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1947265A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 竹内良一;锅仓互;宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导体层，所述导体层和所述衬底接合在一起，以及所述导体层由含硼III－V族化合物半导体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其特征在于，所述层叠结构包括n型或p型导体层，所述导体层和所述衬底接合在一起，以及所述导体层由含硼III-V族化合物半导体构成。
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