[发明专利]具有多栅结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580009982.X | 申请日： | 2005-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1938861A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 崔贞娥;梁正焕;陈裕承 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有包括多个板的台面型有源区的半导体器件及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括第一有源区和第二有源区。第一有源区在衬底上形成为线和间隙图案并包括板，每个板具有第一表面、面向与第一侧相反的方向的第二表面、和顶表面。第一有源区和第二有源区由相同或不同材料构成。第二有源区接触衬底上的每个板的至少一端，以将该板彼此连接。该方法包括在衬底上形成线和间隙图案的第一有源区和形成第二有源区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：第一有源区，包括多个形成在衬底上的板，每个板具有第一表面、面向与第一表面相反方向的第二表面、和顶表面；第二有源区，接触衬底上的每个板的至少一端，以将所述板彼此连接；栅线，形成在所述每个板的第一表面、第二表面和顶表面上；和栅极介电层，夹置在所述板和栅线之间。根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源区形成为线和间隙图案。
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