[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200580010018.9 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1938871A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 成塚重弥;丸山隆浩;森分达也 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/208 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n－型AlInGaP层和p－型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件(10)，包括：GaP衬底(1)；设置在所述GaP衬底(1)上并包括n-型化合物半导体层和p-型化合物半导体层的有源层(4)；位于所述GaP衬底(1)和所述有源层(4)之间并由外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。
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