[发明专利]促进多孔低k膜与下方阻挡层的粘附的技术

摘要

通过形成比其上方的多孔低k膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低k膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低k材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如O₂/CO₂等，来氧化Si前驱体，形成粘附层。在另一个方案中，在低k膜沉积之前，去除诸如α－萜品烯、异丙基苯或者其它非含氧有机物之类的热不稳定化学品。在另一个方案中，诸如引入非含硅组分的方式的硬件或处理参数可以被修改，以使得在低k膜沉积之前可以形成氧化物界面。在另一个方案中，诸如剂量和能量之类的电子束处理参数或者热退火的使用，可以被控制来去除阻挡材料和低k膜中间的界面处的碳物质。在另一个方案中，在低k沉积之前可以引入预处理等离子体，以增强阻挡界面的加热，使得在低k沉积气体被引入并且沉积低k膜时形成薄的氧化物界面。

主权项

1.一种用于促进纳米多孔低k膜和下方的衬垫/阻挡层之间的粘附的方法，所述方法包括：提供具有衬垫/阻挡层的衬底；在所述衬垫/阻挡层上形成氧化硅粘附层；在所述粘附层上沉积低k膜；以及固化所沉积的所述低k膜，以在其中形成纳米孔。