[发明专利]控制栅电极结构的修饰的方法无效
| 申请号： | 200580010031.4 | 申请日： | 2005-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1938841A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 岳红宇;陈立 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G05B19/418;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种用于控制包含具有第一尺寸的栅电极层的栅电极结构的修饰的方法和处理工具，包括确定栅电极结构的第一尺寸，选择目标修饰尺寸，将第一尺寸和目标修饰尺寸前馈到工艺模型以创建一组工艺参数，对栅电极结构执行修饰工艺，包括控制该组工艺参数，修饰栅电极结构，以及测量栅电极结构的修饰尺寸。修饰工艺可被重复至少一次，直到获得目标修饰尺寸，其中修饰尺寸可被反馈到工艺模型以创建一组新的工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 电极 结构 修饰 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：确定栅电极结构的第一尺寸；选择目标修饰尺寸；将所述第一尺寸和所述目标修饰尺寸前馈到工艺模型以创建一组工艺参数；以及对所述栅电极结构执行修饰工艺，包括：控制所述修饰工艺中的该组工艺参数，并且修饰所述栅电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
