[发明专利]低K纳米多孔膜的多阶段固化方法无效

专利信息
申请号: 200580010033.3 申请日: 2005-03-24
公开(公告)号: CN1957108A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 福兰斯马尔·斯楚弥特;郑毅;亦康苏;安相和;莱斯特·A·德库兹;达斯廷·W·霍;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;夏立群;德里克·R·维蒂;海澈姆·穆萨德 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/50;C23C16/56;H01L21/316
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 肖善强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低k材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中,电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气,从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式,通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射,可以对得自含硅组分与具有不稳定基团的不含硅组分之间的反应的低k层进行固化。
搜索关键词: 纳米 多孔 阶段 固化 方法
【主权项】:
1.化学气相沉积的低k电介质层的固化方法,所述方法包括:向包含不稳定含碳基团的沉积态低k电介质层施加热能和电子束辐射中的一种;和向所述沉积态低k层施加热能和电子束辐射中的另一种,置换所述不稳定含碳基团,以形成纳米孔。
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