[发明专利]氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶有效
| 申请号： | 200580010050.7 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1938457A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 岩井真;今井克宏;今枝美能留 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供利用Na助熔剂法生长氮化镓单晶时，可以优良的生产性生长优质的氮化镓单晶的方法。通过使用至少含有钠金属的助熔剂8生长氮化镓单晶。在包含含有氮气的混合气体B的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长氮化镓单晶。优选气氛中的氮分压为100气压以上、2000气压以下。优选生长温度为1000℃以上、1500℃以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓单晶的生长方法，该方法是使用至少含有钠金属的助熔剂生长氮化镓单晶的方法，其特征在于：在包含含有氮气的混合气体的气氛下，在总压为300气压以上、2000气压以下的压力下，生长上述氮化镓单晶。
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