[发明专利]电子元件密封体的制造方法及电子元件密封体无效

专利信息
申请号: 200580010073.8 申请日: 2005-03-30
公开(公告)号: CN1965405A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 木川计介;平冢晴之;和田朋久 申请(专利权)人: 西铁城时计株式会社;西铁城美优达株式会社
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H03H3/02;H03H9/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种电子元件密封体的制造方法,能够防止向容器内封入气体且以高真空状态进行密封,并且能够提高制造效率。在通过由第一束流照射工序步骤(S203a)及第二束流照射工序步骤(S203b)构成的一次焊接工序步骤(S203)形成未焊接部分之后,在退火处理工序步骤(S204)中,对第一束流照射工序步骤(S203a)中形成的电子束的轨迹上的规定部分照射电子束,进行退火处理。
搜索关键词: 电子元件 密封 制造 方法
【主权项】:
1.一种电子元件密封体的制造方法,其特征在于,至少包括:在具有开口并通过该开口将电子元件收纳在内部的收容部中的容器的所述开口的周边,经由使所述容器和覆盖所述容器的所述开口的盖体接合的密封材,配置所述盖体的工序;对所述容器及所述盖体的至少一个照射束流的退火处理工序;和熔融所述密封材来接合所述容器和所述盖体的工序。
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