[发明专利]利用V－I探针识别的等离子体蚀刻终点检测方法无效
| 申请号： | 200580010472.4 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1998069A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 阿芒·阿沃扬;弗朗索瓦·钱德拉塞克尔·达萨帕;布赖恩·麦克米林 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明披露了一种等离子体加工控制系统，包括：V－I探针，其用于有效检测等离子体加工室，其中该探针能够响应于射频(RF)电源(例如，约2MHz、约27MHz、或者约60MHz)而提供电参数；处理器，其耦合至和/或包括有能够提供用于每个电参数的谐波的可商购的探针产品；以及控制器，其耦接至处理器上，该处理器能够选择至少一种电参数和至少一种用于等离子体加工应用终点检测的相应谐波。电参数可以包括电压、相位、电流，而等离子体加工应用可以是介电蚀刻。根据本发明实施例的系统可以尤其适于在生产环境中介电蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 探针 识别 等离子体 蚀刻 终点 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体加工控制系统，包括：探针，耦接至等离子体加工室的电极和射频(RF)发生器上，其中，所述探针被构造成当所述RF发生器被激发时，提供与多种电参数相关的数据；处理器，耦接至所述探针上，并构造成为每一种所述多种电参数提供多种谐波；控制器，耦接至所述处理器上，并构造成选择所述多种电参数中预定的一种电参数以及用于等离子体加工步骤的终点检测的多种谐波中预定的一种谐波。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
