[发明专利]形成沟道隔离区的方法有效
| 申请号： | 200580010495.5 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1938831A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | G·J·戴德里安;M·H·曼宁 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括形成沟道隔离区的方法。在一个实施中，在半导体基片上形成屏蔽材料。所述屏蔽材料包括钨、氮化钛和无定形碳的至少一种。穿过所述屏蔽材料并进入所述半导体基片中形成孔，在所述半导体基片的半导电材料内部有效形成隔离沟道。在所述隔离沟道内部并在所述沟道之外的所述屏蔽材料上形成沟道隔离材料，有效过量填充所述隔离沟道。将所述沟道隔离材料至少抛光到所述屏蔽材料的所述钨、氮化钛和无定形碳至少一种的最外表面。从所述基片蚀刻所述钨、氮化钛和无定形碳的至少一种。其它实施和方面是预期的。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟道 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成沟道隔离区的方法，其包括：在半导体基片上形成屏蔽材料；所述屏蔽材料包括钨、氮化钛和无定形碳的至少一种；穿过所述屏蔽材料并进入所述半导体基片中形成孔，在所述半导体基片的半导电材料内部有效形成隔离沟道；在所述隔离沟道内部并在所述沟道之外的所述屏蔽材料上形成沟道隔离材料，有效过量填充所述隔离沟道；将所述沟道隔离材料至少抛光到所述屏蔽材料的所述钨、氮化钛和无定形碳至少一种的最外表面；和从所述基片蚀刻所述钨、氮化钛和无定形碳的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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