[发明专利]用于去除蚀刻后残留物的水溶液无效
| 申请号： | 200580010600.5 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101065837A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | R·梅利斯 | 申请（专利权）人： | 巴斯福股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C11D11/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有改进性能的用于去除蚀刻后残留物的新型溶液及其在半导体生产中的应用。本发明还涉及在半导体生产过程中，对于必须无蚀刻后残留物和颗粒的金属层和表面具有降低的蚀刻速率的水溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 蚀刻 残留物 水溶液 | ||
【主权项】：
1.具有降低的蚀刻速率的用于蚀刻后残留物去除的水溶液，其在氧化剂以及任选的用于改进清洁作用和对Al、Cu、Ti、W、Al/Cu、TiN和SiO2 表面的惰性的添加剂存在下，包含选自羟基羧酸和/或选自单羧酸、二羧酸和三羧酸的有机酸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯福股份公司，未经巴斯福股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580010600.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于阴极射线管的阴极制造方法
- 下一篇：具有携带连接销的本体的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
