[发明专利]具有用于大的光信号接收区的电极结构的光电二极管无效
| 申请号： | 200580010621.7 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1938868A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 柳汉权;宋瑄镐;李在一;具本朝 | 申请（专利权）人： | LS电线有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开一种光电二极管的结构，其能够使受光区具有大的口径。该光电二极管包括：受光区，具有用于光电转换的化合物半导体的结结构；第一电极，具有网状结构，该网状结构与位于该受光区一侧的光输入区域欧姆接触；以及第二电极，形成在该受光区的另一侧，并与该第一电极相对应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 信号 接收 电极 结构 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，包括：受光区，具有用于光电转换的化合物半导体的结结构；第一电极，具有网状结构，该网状结构与位于该受光区一侧的光输入区域欧姆接触；以及第二电极，形成在该受光区的另一侧，并与该第一电极相对应。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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