[发明专利]碳纳米球型结构体及其制造方法以及电子发射元件无效

专利信息
申请号: 200580010622.1 申请日: 2005-03-25
公开(公告)号: CN1938225A 公开(公告)日: 2007-03-28
发明(设计)人: 泷川浩史;近藤明;吉川和男;伊藤茂生 申请(专利权)人: 东海碳素株式会社;双叶电子工业株式会社;泷川浩史
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种具有具备较大封闭空间的空心结构的碳纳米球型结构体,及可容易且稳定得到这种结构体的碳纳米球型结构体的制造方法,其特征在于,将通过采用碳素电极进行电弧放电而产生的煤或对碳照射激光使其蒸发而产生的煤,或比表面积为1000m2/g以上、一次粒径为20nm以上的碳黑,在惰性气体环境中进行高温加热而制得,由石墨层相结合而以整体形成曲面的方式配置的空心结构构成。
搜索关键词: 纳米 结构 及其 制造 方法 以及 电子 发射 元件
【主权项】:
1.一种碳纳米球型结构体,其特征在于,由石墨层相结合而以整体形成曲面的方式配置的空心结构构成,其直径为20~500nm,其中,所谓直径,意指以通过结构体中心的为X轴,以通过该中心并且与X轴垂直的为Y轴,这种情况下是结构体的X轴方向的长度与Y轴方向的长度的平均值。
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