[发明专利]等离子体源线圈和使用该等离子体源线圈的等离子体室有效
申请号: | 200580010638.2 | 申请日: | 2005-03-29 |
公开(公告)号: | CN1938824A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 金南宪;李堵汉;吴荣根 | 申请(专利权)人: | 自适应等离子体技术公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨生平;杨红梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种等离子体源线圈,包括:布置在中央部分的衬套;以及多个基于该衬套从该衬套的圆周以同心圆的形式布置的单元线圈。每个单元线圈的一端以及该衬套的一端公共地连接到功率供给端子,并且每个单元线圈的另一端和该衬套的另一端公共地连接到地端子。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 线圈 使用 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体源线圈,包括:布置在中央部分的衬套;以及基于所述衬套从所述衬套的圆周以同心圆的形式布置的多个单元线圈,其中每个单元线圈的一端以及所述衬套的一端公共地连接到功率供给端子,并且每个单元线圈的另一端和所述衬套的另一端公共地连接到地端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于自适应等离子体技术公司,未经自适应等离子体技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580010638.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含氟弹性体聚合物的制造方法
- 下一篇:协同增效作用的除草混合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造