[发明专利]具有横向调制栅极功函数的半导体器件和制备方法有效
| 申请号： | 200580010856.6 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1938858A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | B·多伊尔;S·A·哈尔兰德;M·多茨;R·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种晶体管包括在形成于衬底上的栅电介质层上形成的栅电极。在栅电极的横向相对侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源/漏区。栅电极具有形成于栅电介质层上和源区与漏区之间的衬底区上方的中心部分，以及与一部分源/漏区重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具有第一功函数，并且所述侧壁部分对具有第二功函数，其中第二功函数与第一功函数不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 调制 栅极 函数 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：栅电极，其形成在形成于衬底上的栅电介质层上；一对源/漏区，其形成在所述栅电极的所述横向相对侧壁的相对侧上的所述衬底中；以及其中所述栅电极具有形成于所述源/漏区之间的衬底区上方的栅电介质层上的中心部分和与一部分所述源/漏区重叠的一对侧壁部分，其中所述中心部分具有第一功函数，并且所述侧壁部分对具有第二功函数，其中所述的第二功函数与所述的第一功函数不同。
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