[发明专利]用于温度控制的方法和装置无效
申请号: | 200580011001.5 | 申请日: | 2005-02-17 |
公开(公告)号: | CN1943008A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 保罗·莫卢兹 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/458 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种用于控制衬底温度的装置,该装置包括衬底台和布置在衬底台中并且与衬底台的热表面进行热交换的热组件。热组件包括承载传热流体的通道。该装置还包括流体热单元,流体热单元包括被构造和布置为将传热流体的温度控制在第一温度的第一流体单元、被构造和布置为将传热流体的温度控制在第二温度的第二流体单元以及与热组件的通道以及第一和第二流体单元流体连通的出口流控制单元。出口流控制单元被配置为向通道提供受控传热流体,受控传热流体包括具有第一温度的传热流体、具有第二温度的传热流体或其组合中的至少一种。 | ||
搜索关键词: | 用于 温度 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于控制衬底温度的装置,所述衬底具有下表面和对其执行衬底处理的上表面,所述装置包括:具有支持所述衬底的下表面的热表面的衬底台;布置在所述衬底台中并且与所述热表面进行热交换的热组件,所述热组件包括承载传热流体的通道;以及被构造和布置为调整所述传热流体的温度的流体热单元,所述流体热单元包括:被构造和布置为将所述传热流体的温度控制在第一温度的第一流体单元;被构造和布置为将所述传热流体的温度控制在第二温度的第二流体单元;以及与所述热组件的通道以及所述第一和第二流体单元流体连通的出口流控制单元,所述出口流控制单元被构造和布置为向所述通道提供受控传热流体,所述受控传热流体包括具有第一温度的传热流体、具有第二温度的传热流体或其组合中的至少一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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