[发明专利]静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法

摘要

在静电电容式半导体物理量传感器中，玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域(连接区域)接触以用于阳极连接，而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。在硅衬底的连接面侧的表面上形成固定电极，而在半导体衬底的连接面侧的表面上形成可移动电极。在阳极连接之前，在该连接区域内侧的玻璃衬底的连接面侧的表面上形成有等电位配线，其使固定电极短接于可移动电极，以作为针对阳极连接中放电的对策。在阳极连接之后，该等电位配线被切断并去除。通过以这种方式制造传感器，在绝缘衬底与半导体衬底阳极连接时，使绝缘衬底的固定电极与半导体衬底的可移动电极等电位，从而防止了放电的产生。因此，可以获得高连接力和所需的传感器特性，而不会引起连接空隙的产生和传感器芯片尺寸的增大。

主权项

1、一种制造静电电容式半导体物理量传感器的方法，其中，绝缘衬底和半导体衬底相互面对的周边区域(称为连接区域)接触以用于阳极连接，而该绝缘衬底和该半导体衬底具有在其间施加的阳极连接电压以通过阳极连接而结合为一体，并且在该绝缘衬底的连接面侧的表面上形成固定电极，以及在该半导体衬底的连接面侧的表面上形成可移动电极，所述方法包括：第一步骤，即在阳极连接之前，在该连接区域的内侧、该绝缘衬底的连接面侧的表面上形成等电位配线，以使该固定电极短接于该可移动电极；第二步骤，即进行阳极连接；以及第三步骤，即在阳极连接之后，切断并去除该等电位配线。