[发明专利]用于MOCVD反应器的入口系统

摘要

本发明涉及一种用于在处理室(1)中尤其是将结晶层沉积在至少一个尤其是结晶基体上的装置，其包括顶板(2)和用于接收基体(4)的垂直相对的加热底板(3)。使用形成垂直叠加的进气区(6，7)的进气体(5)，分开地引入至少第一和第二气态原料，所述原料在水平方向上与载气一起流过该处理室(1)。气流在直接相邻于进气体(5)的入口区(EZ)中均化，且原料至少部分分解，在相邻于入口区(EZ)的生长区(GZ)中将形成的分解产物沉积在基体(4)之上，同时连续地减少气流。进气体(5)的进气区(8)基本上用于两种原料中的一种，以降低入口区(EZ)的水平延长。

主权项

1、一种用于在处理室(1)中将尤其是结晶层沉积在一个或多个尤其是结晶基体之上的装置，该处理室(1)具有顶板(2)和沿垂直方向与该顶板相对置的、用于接收该基体(4)的被加热的底板(3)，还具有气体入口元件(5)，该气体入口元件(5)形成沿垂直方向上下叠置的进气区(6，7)，以分别用于将至少第一和第二气态原料彼此独立地引入，所述原料在水平方向上与载气一起流过该处理室(1)，在直接邻近于气体入口元件(5)的入口区(EZ)中气流被均化且原料至少部分预分解，在邻近该入口区(EZ)的生长区(GZ)中将原料的分解产物沉积于所述基体(4)之上，同时稳定地减少气流，其特征在于，该气体入口元件(5)的另一进气区(8)用于两种原料中之一，以降低入口区(EZ)的水平延伸。