[发明专利]半导体存储卡无效
| 申请号： | 200580011046.2 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1942883A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 植田荣治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G06K19/07 | 分类号： | G06K19/07;G11C11/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储卡，利用该半导体存储卡，当存储在读出破坏性存储单元中的数据被读出时，用户可以选择对该数据的处理。IC卡(1300)包括：FeRAM(125)，其存储数据，该数据在被读出之后在FeRAM(125)中变得不确定；处理信息存储单元(305)，其存储处理模式确定信息；读取单元(301)；处理模式确定单元(303)，其在该数据被读取单元(301)读出时，确定写入到FeRAM(125)的指定地址中的模式，将指定的地址与该信息进行比较；以及写入单元(302)，其在指定地址中的数据被读出之后，根据确定的模式而将特定数据写入或者不写入指定的地址中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储卡，包括：第一存储单元，用于存储数据，该第一存储单元具有数据被读出之后该数据在该第一存储单元中变得不确定的特性；第二存储单元，用于存储处理模式说明信息，其指定在所存储的数据被读出之后写入到该第一存储单元的每个地址的模式；读取单元，用于读出存储在该第一存储单元的指定地址中的数据；处理模式确定单元，用于在所存储的数据被该读取单元读出时，通过将该指定的地址与该处理模式说明信息进行比较来确定写入到该指定地址的模式；以及写入单元，用于在存储在该指定地址的数据被读出之后，根据该处理模式确定单元确定的模式而将特定数据写入或者不写入该指定的地址中。
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