[发明专利]层内电容降低的集成电路布线结构无效
申请号: | 200580011092.2 | 申请日: | 2005-04-21 |
公开(公告)号: | CN1943023A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
发明(设计)人: | 理查德·S.·维斯;伯米·A.·陈;马克·C.·哈凯;闫红雯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/4763 | 分类号: | H01L21/4763 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种制作集成电路布线结构的方法,包括下列步骤:在介质材料层(13)中形成多个特征(16),以及在特征的侧壁(16s)上形成隔层(20)。然后在特征中形成通过隔层与侧壁隔开的导体(25)。然后去除隔层,在侧壁处形成空气隙(40),使得导体通过空气隙与侧壁隔开。导体上下的介质层(42,12)可以是介电常数小于导体之间的介质的介电常数的低k介质。各导体(25)的剖面具有与低k介质层(12)相接触的底部、与另一低k介质(42)相接触的顶部、以及仅仅与空气隙(40)相接触的侧面。空气隙用来降低层内电容。 | ||
搜索关键词: | 电容 降低 集成电路 布线 结构 | ||
【主权项】:
1.一种用来制作集成电路布线结构的方法,包括下列步骤:在介质材料层(13)中形成多个特征(16),各个特征具有侧壁(16s)和底部;在侧壁上形成隔层(20);在特征中形成通过隔层与侧壁隔开的导体(25);以及去除隔层,从而在侧壁处形成空气隙(40),使得导体通过空气隙与侧壁隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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