[发明专利]层内电容降低的集成电路布线结构无效

专利信息
申请号: 200580011092.2 申请日: 2005-04-21
公开(公告)号: CN1943023A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 理查德·S.·维斯;伯米·A.·陈;马克·C.·哈凯;闫红雯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/4763 分类号: H01L21/4763
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种制作集成电路布线结构的方法,包括下列步骤:在介质材料层(13)中形成多个特征(16),以及在特征的侧壁(16s)上形成隔层(20)。然后在特征中形成通过隔层与侧壁隔开的导体(25)。然后去除隔层,在侧壁处形成空气隙(40),使得导体通过空气隙与侧壁隔开。导体上下的介质层(42,12)可以是介电常数小于导体之间的介质的介电常数的低k介质。各导体(25)的剖面具有与低k介质层(12)相接触的底部、与另一低k介质(42)相接触的顶部、以及仅仅与空气隙(40)相接触的侧面。空气隙用来降低层内电容。
搜索关键词: 电容 降低 集成电路 布线 结构
【主权项】:
1.一种用来制作集成电路布线结构的方法,包括下列步骤:在介质材料层(13)中形成多个特征(16),各个特征具有侧壁(16s)和底部;在侧壁上形成隔层(20);在特征中形成通过隔层与侧壁隔开的导体(25);以及去除隔层,从而在侧壁处形成空气隙(40),使得导体通过空气隙与侧壁隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580011092.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top