[发明专利]覆盖了银化合物的银粉及其制造方法无效
| 申请号： | 200580011227.5 | 申请日： | 2005-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1942269A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木卓也;坂上贵彦;藤本卓;吉丸克彦 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;B22F1/00;H01B5/00;H01B1/22;C23C26/00;C08K9/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种由覆盖了具有比银的熔点温度低的分解温度的银化合物的银粉能够形成电子电路用导电性配线部的导电性膏用的覆盖有银化合物的银粉及其制造方法。作为为此的解决方式，在含有银化合物覆盖了银粒子表面的覆盖有银化合物的银粒子的覆盖有银化合物的银粉中，在应由含该银粉的导电性膏形成电子电路配线的基板焙烧时，通过具有比银的熔点温度低很多的分解温度的银化合物的热解，银化合物的银与覆盖有银化合物的银粒子彼此发生熔粘。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 化合物 银粉 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种覆盖有银化合物的银粉，其特征在于，含有覆盖有银化合物的银粒子，该覆盖有银化合物的银粒子具备作为芯材的银粒子及覆盖该银粒子表面的银化合物的覆盖部。
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