[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于半导体装置及其制造方法，所述半导体装置能够防止源极/漏极区域的电阻增大，并且能够防止杂质从半导体膜和侧壁扩散。为了达到上述目的，以下述方式构成半导体装置。即，半导体装置具有：半导体基板(1)、栅极结构(2)、源极/漏极区域(41)、第一防扩散膜(8)以及侧壁(7)。栅极结构(2)依次层叠有绝缘膜(21)、第二防扩散膜(22)以及半导体膜(23)。半导体膜(23)含有杂质。第一防扩散膜(8)覆盖栅极结构(2)的侧面，使源极/漏极区域(41)的至少一部分露出，并覆盖半导体基板(1)。侧壁(7)覆盖第一防扩散膜(8)、并与源极/漏极区域(41)接触。

主权项

1.一种半导体装置，该装置具有：半导体基板(1)、栅极结构(2)、源极/漏极区域(41)、第一防扩散膜(8)以及侧壁(7)，所述栅极结构具有：绝缘膜(21)，其形成于所述半导体基板上；半导体膜(23)，其含有杂质，形成于所述绝缘膜上；以及第二防扩散膜(22)，其形成于所述绝缘膜和所述半导体膜的界面上，所述源极/漏极区域在所述半导体基板的表面露出，其形成于所述半导体基板内，所述第一防扩散膜具有：第一部分(81～83)，其覆盖所述栅极结构的侧面；以及第二部分(84)，其从所述第一部分延伸，使所述源极/漏极区域的至少一部分露出，并覆盖所述半导体基板的露出表面，所述侧壁覆盖所述第一防扩散膜的表面中所述栅极结构的相反侧，并且与所述源极/漏极区域接触。