[发明专利]晶片级光电测试装置及方法

摘要

一种用于在绝缘体硅(SOI)晶片结构中形成的光电器件的晶片级测试装置，其使用单光电测试元件来执行光和电测试。波束调向光学器件可在所述测试元件上形成，且用于帮助光探针信号和光耦合元件(例如棱镜耦合器、光栅)间的耦合，所述光耦合器件在所述SOI结构的顶部表面上形成。光测试信号此后被导引到在所述SOI结构的顶层中形成的光波导中。所述光电测试元件还包括多个电测试管脚，其放置成与所述光电器件上的多个焊接点测试位置接触，以及用于执行电测试操作。光测试信号结果可在所述SOI结构内转换成电表示，因此作为电信号返回到所述测试元件。

主权项

1.一种晶片级测试装置，其用于硅晶片上形成的基于绝缘体硅(SOI)的集成光电结构，所述装置包括：一光电测试元件，其可移动地接触所述硅晶片的顶部主表面，所述光电测试元件包括至少一个光输入信号通道，其用于将至少一个光测试信号导引到所述基于SOI的结构；和多个电测试管脚，其以与正测试的所述基于SOI的光电结构的表面上的多个焊接点匹配的模式布置，所述多个电测试管脚用于给予所述正测试的基于SOI的光电结构能量，以及向所述正测试基于SOI的光电结构提供电测试信号和提供自其的电响应信号；以及光耦合功能部件，其布置在所述光电测试元件和正测试的指定的基于SOI的光电结构的表面之间，用于将光测试信号耦合进所述正测试的指定的基于SOI的光电结构。