[发明专利]具有改进的部分页编程能力的非易失性存储器和控制

摘要

在其中以两遍或两遍以上循序编程对存储器单元进行编程的非易失性存储器编程方案中，当在第二遍编程期间没有足够的主机数据对至少某些存储器单元进行编程时，某些存储器单元可能被编程为错误的阈值电压。这可通过修改编程方案来防止发生这种情况。在一种实施方案中，这是通过以下方法实现的：选择不会使存储器单元在第二遍编程期间被编程为错误的阈值电压的编码方案，或根据不会使单元被编程为错误状态的替代性数据来编程存储器单元。

主权项

1.一种对一类型的非易失性存储器单元进行编程的方法，所述非易失性存储器单元存储数据作为其电荷存储元件中对应的不同电荷电平，所述元件的所述电荷存储电平在所述编程之前处于一重置电荷存储电平分布，所述方法包括：在至少两遍编程中对所述电荷存储元件进行编程，其中在一第一遍编程期间，将所述元件中的选定元件编程为一第一存储电平分布，且在一随后的第二遍编程期间，将所述处于重置电荷存储电平分布的所述元件中的选定元件编程为一第二存储电平分布，并将处于所述第一存储电平分布的所述元件中的选定元件编程为一第三存储电平分布，所述第二存储电平分布处于所述重置与所述第一存储电平分布之间；其中当在所述第二遍编程期间没有足够的主机数据对所述元件中的至少一者进行编程而所述至少一个元件在所述第一遍编程期间已被编程为所述第一存储电平时，所述编程使得在所述第二遍编程之后所述至少一个元件的所述电荷存储电平低于所述第三存储电平分布的所述电荷存储电平。