[发明专利]硅半导体衬底的热处理方法以及使用该方法处理的硅半导体衬底有效
| 申请号： | 200580011882.0 | 申请日： | 2005-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1943022A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 前田进;杉万贵久;佐土原晋弥;芳野史朗;中村浩三 | 申请（专利权）人： | 小松电子金属股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能对在含有氮气的气氛中进行了RTA之后的BMD密度在晶片深度方向的M分布形态进行任意控制、可自如地控制每个器件制造商的要求不同的接近吸收构造的方法。并且，提供一种对规定的硅晶片进行热处理，以制造在表面附近具有无缺陷层的硅晶片的热处理方法，其中，通过控制该热处理用硅晶片在深度方向的氮浓度分布，形成所希望的内部缺陷密度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 热处理 方法 以及 使用 处理 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片，其在表面附近具有无缺陷层，其特征在于，在进行了使用氮气或含氮的气氛气体的热处理后，在距该硅晶片表面10μm的位置，其氮浓度大于等于1×1014atoms/cm3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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