[发明专利]Ⅲ－氮化物双向开关

摘要

本发明公开了一种包含AlGaN/GaN界面的III－氮化物双向开关，其获得高载流沟道。所述双向开关以至少一个栅工作，所述栅防止或允许建立二维电子气以为双向开关形成载流沟道。

主权项

1.一种双向半导体开关，包含：衬底；包含一种III-氮化物半导体材料的第一半导体本体；在所述第一半导体本体上形成并包含另一III-氮化物半导体材料的第二半导体本体，其具有与所述一种III-氮化物半导体材料不同的带隙；在所述第二半导体本体的第一部分上形成并欧姆连接到所述第二半导体本体的第一部分的第一欧姆电极；在所述第二半导体本体的第二部分上形成并欧姆连接到所述第二半导体本体的第二部分的第二欧姆电极；以及在所述第二半导体本体上形成并设置在所述第一欧姆电极和所述第二欧姆电极之间的栅电极，其中所述栅电极被定位成使所述器件展示对称电压阻塞能力。