[发明专利]互补氮化物晶体管垂直和共用漏极有效
| 申请号： | 200580012306.8 | 申请日： | 2005-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1965412A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | R·比奇;P·布里杰 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和用于制造所述器件的方法，其中所述半导体器件包括在不同平面上的欧姆接触，且用于制造所述器件的方法包括在连续的步骤中蚀刻不同电导率半导体层的半导体堆叠，以在第一半导体层中产生具有第一宽度的第一开口，从而露出另一半导体层，然后在另一半导体层中产生具有较小宽度的第二开口，由此所述另一层的一部分保持露出以接收欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 氮化物 晶体管 垂直 共用 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有一种电导率的导电区；具有所述一种电导率的另一导电区；位于所述导电区和所述另一导电区之间的具有另一电导率的基区；邻近所述基区的栅结构；欧姆连接到所述导电区的表面的欧姆接触，所述欧姆接触包括朝向一方向的用于电连接的面；以及欧姆连接到所述另一导电区的表面的另一欧姆接触，所述另一欧姆接触包括朝向所述方向的用于电连接的面；其中所述导电区的所述表面在第一平面上，所述另一导电区的所述表面在另一平面上。
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