[发明专利]低K介电薄膜的后处理无效
| 申请号： | 200580012778.3 | 申请日： | 2005-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1947229A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 崔振江;约瑟芬·J·常;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;瑞泽·阿扎维尼;德里克·R·威蒂;海伦·R·阿默;吉利士·A·迪克西特;希琴曼·麦萨迪 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理衬底的方法，包括：在射频电源下在衬底上沉积包含硅及碳的低介电常数薄膜；以及通过下述工序对该沉积的低介电常数薄膜进行后处理，该工序包括：将该低介电常数薄膜以至少约10℃/秒的速率加热到至少约600℃的所需温度，其中该低介电常数薄膜维持在该所需温度约5秒或更少；以及以至少约10℃/秒的速率冷却该低介电常数薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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