[发明专利]改进的应变硅CMOS器件和方法有效
| 申请号： | 200580013028.8 | 申请日： | 2005-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1985374A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 安德列斯·布尔扬特;欧阳齐庆;科恩·利姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中单轴应变在半导体器件的器件沟道中产生。单轴应变可能处于拉伸或处于压缩并且在与器件沟道平行的方向上。单轴应变可以由应变引发衬垫、应变引发阱或其组合在双轴应变衬底表面中产生。单轴应变可以由应变引发阱和应变引发衬垫的组合在减小的衬底中产生。本发明也提供一种使用应变引发隔离区域增加双轴应变的方法。本发明还提供CMOS衬底的器件区域可以独立处理以提供处于压缩或拉伸的单轴应变半导体表面的CMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 应变 cmos 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括应变引发层上面的应变半导体层，其中所述应变引发层在所述应变半导体层中产生双轴应变；在所述应变半导体层的器件沟道部分上包含栅极导体的至少一个栅极区域，所述器件沟道部分将与所述至少一个栅极导体相邻的源极和漏极区域分离；以及位于所述至少一个栅极区域上的应变引发衬垫，其中所述应变引发衬垫产生单轴应变到位于所述至少一个栅极区域下面的所述应变半导体层的器件沟道部分。
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