[发明专利]具有高垂直各向异性和平面内平衡磁化的自由层的自旋转移磁性元件无效
| 申请号： | 200580013036.2 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1947272A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | P·P·游岩;怀一鸣 | 申请（专利权）人： | 弘世科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;G11C17/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提供可以在磁存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。间隔层位于被钉扎层和自由层之间。当写入电流穿过磁性元件时，可使用自旋转移切换自由层。磁性元件还可包括阻挡层、第二被钉扎层。可替换地，包括第二被钉扎层和第二间隔层和静磁耦合到该自由层的第二自由层。至少一个自由层具有高垂直各向异性。高垂直各向异性具有是平面外退磁能的至少20％且小于100％的垂直各向异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 各向异性 平面 平衡 磁化 自由 自旋 转移 磁性 元件 | ||
【主权项】：
1、一种磁性元件，包括：被钉扎层；间隔层，所述间隔层是非磁性的；和具有自由层磁化的自由层，所述间隔层存在于所述被钉扎层和自由层之间，所述自由层具有高垂直各向异性和平面外退磁能，所述高垂直各向异性具有所述平面外退磁能的至少20％且小于100％的垂直各向异性能；其中所述磁性元件构造成，当写入电流穿过磁性元件时，允许由于自旋转移而切换所述自由层磁化。
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