[发明专利]有可调透光率的嵌入式衰减相移掩模无效
| 申请号： | 200580013045.1 | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101006329A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 肖广明 | 申请（专利权）人： | 美商福昌公司 |
| 主分类号： | G01F9/00 | 分类号： | G01F9/00;G03C5/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以独立地选取嵌入式衰减相移掩模(EAPSM)的衰减和相移性质。在挖去嵌入式相移层的区域时或之后，基片的曝光区被蚀刻到预定的深度。然后，嵌入式相移层的附加区域被曝光并修整到预定的厚度，用于提供所需的衰减量，其中基片的最终蚀刻深度可以补偿修整相移层造成的相对相移变化。于是，在单个EAPSM坯体上可以制作有多个单元的矩阵测试装置，该多个单元有不同的衰减度和/或相移量。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 透光率 嵌入式 衰减 相移 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式衰减相移掩模，包括：半透明基片，叠加在基片上由相移和衰减材料制成的嵌入式相移层，和叠加在嵌入式相移层上的不透明材料层，其中不透明材料区被去除以确定电路图形；和在被去除的不透明材料区内，嵌入层的第一区被完全去除，嵌入层的第二区减薄到相当于预定衰减量的预定高度，和与嵌入层第二区相邻的基片区被蚀刻到预定的深度，其中传输通过嵌入式相移层第二区的辐射相对于传输通过第一区的辐射相移一个预定量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商福昌公司，未经美商福昌公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580013045.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：不等厚板激光焊接系统
- 下一篇：一种针对复杂加工曲面的两轴三维激光头
