[发明专利]化合物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200580013077.1 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1947268A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该pn结化合物半导体发光器件包括：结晶衬底；n型发光层，由六角n型III族氮化物半导体形成，并设置在所述结晶衬底上；p型III族氮化物半导体层，由六角p型III族氮化物半导体形成，并设置在所述n型发光层上；p型磷化硼基半导体层，具有闪锌矿晶体类型，并设置在所述p型III族氮化物半导体层上；以及薄膜层，由形成在所述p型III族氮化物半导体层上的未掺杂的六角III族氮化物半导体构成，其中所述p型磷化硼基半导体层接合到由未掺杂的六角III族氮化物半导体构成的所述薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种pn结化合物半导体发光器件，包括：结晶衬底；n型发光层，由六角n型III族氮化物半导体形成，并设置在所述结晶衬底上；p型III族氮化物半导体层，由六角p型III族氮化物半导体形成，并设置在所述n型发光层上；p型磷化硼基半导体层，具有闪锌矿晶体类型，并设置在所述p型III族氮化物半导体层上；以及薄膜层，由形成在所述p型III族氮化物半导体层上的未掺杂的六角III族氮化物半导体构成，其中所述p型磷化硼基半导体层接合到由未掺杂的六角III族氮化物半导体构成的所述薄膜层。
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