[发明专利]半导体器件和制造这种器件的方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件(10)，其包括具有高欧姆半导体衬底(2)的半导体本体(1)，所述半导体衬底(2)覆盖有包含电荷的电介质层(3、4)，在该电介质层上设置包括导体迹线(20)的一个或多个无源电子元件，其中，在无源元件(20)的位置上，在半导体衬底(2)和电介质层(3、4)之间的界面处存在一个区域(5)，作为其结果，在该区域(5)的位置上限制了由电荷在半导体器件(10)中产生的导电沟道的导电率。根据本发明，该区域(5)是通过淀积形成的，并且包括半绝缘材料。结果，器件(10)具有非常低的高频功率损耗，因为在半绝缘区(5)中形成反型沟道。器件(10)还允许更高的温度预算，因此允许将有源半导体元件(8)集成到半导体本体(1)中。用于区域(5)的非常合适的半绝缘材料是SiC、SIPOS或POLYDOX。

主权项

1、一种半导体器件(10)，其包括高欧姆半导体衬底(2)，所述半导体衬底(2)覆盖有包含电荷的电介质层(3、4)，在该电介质层上设置包括导体迹线(20)在内的一个或多个无源电子元件(20)，其中，在所述无源元件(20)的位置上，在所述半导体衬底(2)和所述电介质层(3、4)之间的界面处存在一个区域(5)，使得由电荷在所述半导体器件(10)中产生的导电沟道的导电率在所述区域(5)的位置上减小，其特征在于：所述区域(5)是通过淀积形成的，并且包括半绝缘材料。