[发明专利]具有可调栅极功函数的双金属CMOS晶体管以及其制法有效
| 申请号： | 200580013182.5 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1947243A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | J·潘;林明仁 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种双金属CMOS之配置以及其制法，系提供一衬底(10)以及在衬底(10)上形成之多个NMOS器件(44)与PMOS器件(46)。各多个NMOS器件(44)与PMOS器件(46)具有栅极电极。各NMOS栅极电极包含衬底(10)上的第一硅化物区(50)与第一硅化物区(50)上的第一金属区(48)。该NMOS栅极电极的第一硅化物区(50)系由一个具有接近硅导电带的功函数的第一硅化物(50)组成。各PMOS栅极电极包含衬底上的第二硅化物区(54)与第二硅化物区(54)上的第二金属区(52)。该PMOS栅极电极的第二硅化物区(54)系由一个具有接近硅价带的功函数的第二硅化物(54)组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可调 栅极 函数 双金属 cmos 晶体管 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种双金属互补金属氧化物半导体配置，包含：一衬底(10)；具有栅极电极的多个N型金属氧化物半导体器件(44)，各N型金属氧化物半导体栅极电极包含在该衬底(10)上的第一硅化物区(50)与在第一硅化物区(50)上的第一金属区(48)，该N型金属氧化物半导体栅极电极的第一硅化物区(50)由具有硅导带在+/-0.2V内的功函数的第一硅化物组成；以及具有栅极电极的多个P型金属氧化物半导体器件，各P型金属氧化物半导体栅极电极包含在衬底(10)上的第二硅化物区(54)与在第二硅化物区(54)上的第二金属区(52)，该P型金属氧化物半导体栅极电极(54)的第二硅化物区由一具有硅价带在+/-0.2V内的功函数的第二硅化物组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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