[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200580013329.0 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1947245A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | G·马;C·阿伦斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包含：具有顶面和底面的半导体衬底；沉积在衬底顶面的第一和第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的布线；沉积在衬底底面上的背面金属层；第一通孔结构，从衬底的底面延伸到第一绝缘层上，并且处在背面层和布线之间；第二通孔，从第一绝缘层上延伸到第二绝缘层上，并且处在第一通孔和布线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有顶面和底面，第一和第二绝缘层，沉积在所述衬底的该顶面上，布线，设置在该第二绝缘层上，背面金属层，沉积在该衬底的该底面上，第一通孔结构，从该衬底的该底面延伸到该第一绝缘层的顶部，并处在该背面层与该布线之间，和第二通孔结构，从该第一绝缘层的顶部延伸到该第二绝缘层顶部，并处在该第一通孔与该布线之间。
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