[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580013357.2 | 申请日： | 2005-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1961432A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 石桥明彦;横川俊哉;岛本敏孝;长谷川义晃;川口靖利;木户口勋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/34;H01L21/205;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备氮化物半导体基板的工序(A)；在所述氮化物半导体基板上形成具有与所述氮化物半导体基板的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在所述多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)的工序(C)；在所述AlxGayInzN晶体上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体用所述Alx’Gay’Inz’N晶体连结而形成1个氮化物半导体层的工序(D)。
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