[发明专利]压电氧化物单晶体的电荷抑制方法及设备无效
| 申请号： | 200580013535.1 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1950549A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 堀田和利;菅野和也;宫川大作;仓知雅人;笹俣武治;佐桥家隆 | 申请（专利权）人： | 山寿瑟拉密克斯株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种处理方法，该方法可以在不损害压电性的情况下抑制钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体的带电。而且，提供了一种处理设备，该设备可以简单且安全地运行该处理方法。其特征在于将钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体制成的晶片50，和包括碱金属的还原剂60放置在处理容器2中，并将处理容器2内部保持在200－1000℃的温度和减压条件下，由此还原晶片50。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 氧化物 单晶体 电荷 抑制 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种压电氧化物单晶体的电荷抑制方法，其特征在于它包括：将钽酸锂单晶体或铌酸锂单晶体制成的晶片和包含碱金属化合物的还原剂置于处理设备中；和通过将处理设备内部保持在200-1000℃的温度和减压条件下，还原晶片。
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