[发明专利]具有附加源/漏绝缘层的共面薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200580013661.7 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1950949A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | K·R·怀特;I·D·弗伦奇 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种共面薄膜晶体管TFT(22)及其制造方法，其中，在源极接触(30)和漏极接触(32)上设置附加绝缘层，并且将该附加绝缘层的第一区域(34)限定为基本占据与源极接触(30)相同面积，该附加绝缘层的第二区域(36)基本占据与漏极接触(32)相同面积。这样趋于减小栅(62)源电容和栅(62)漏电容。在有些结构中，无需任何附加掩模或限定步骤即可实现。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 附加 绝缘 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种共面薄膜晶体管，TFT，包括：衬底(24)；多个半导体层(26，28)和第一金属层，其在衬底(24)上沉积并且限定用于提供沟道区(42)，源极接触(30)和漏极接触(32)；第一绝缘层，其设置在源极接触(30)和漏极接触(32)上，并且限定为使得第一绝缘层的第一区域(34)基本占据与源极接触(30)相同的面积，第一绝缘层的第二区域(36)基本占据与漏极接触(32)相同的面积；第二绝缘层(46)，其设置在沟道区(42)以及第一绝缘层的第一(34)和第二(36)区域上；以及第二金属层，其设置在第二绝缘层(46)上，并且限定用于提供栅极(62)。
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