[发明专利]包含输送工艺气体和射频功率的气体分配单元的等离子处理设备有效
申请号: | 200580013782.1 | 申请日: | 2005-04-11 |
公开(公告)号: | CN101018884A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 拉金德·丁德萨;埃里克·兰兹 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00;H01L21/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种等离子处理设备,包括向喷淋头式电极输送工艺气体和射频(RF)功率的气体分配单元。气体分配单元可以包括多个气体通路,以相同或不同的流速,向喷淋头式电极后侧的一个或多个储气室,输送相同的工艺气体或不同的工艺气体。气体分配单元在半导体基片上,提供要达到的需要的工艺气体分配,该半导体基片在喷淋头式电极与支承基片的下电极之间的空隙中被处理。 | ||
搜索关键词: | 包含 输送 工艺 气体 射频 功率 分配 单元 等离子 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种喷淋头式电极组件,包括:喷淋头式电极,适合安装在真空室内部并由射频(RF)能量提供动力;附于喷淋头式电极的射频(RF)分配单元,其中,该RF分配单元包含适合沿轴向伸进真空室的温度受控上壁的开孔中的第一部分,该RF分配单元还包含在喷淋头式电极上沿侧向伸延的第二部分,以提供到达喷淋头式电极上多个接触点的RF路径;和热通道单元,附于RF分配单元上,并适合在真空室的上壁与RF分配单元的第二部分之间,向喷淋头式电极提供至少一部分热通道。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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