[发明专利]线边缘粗糙度控制无效
申请号: | 200580013946.0 | 申请日: | 2005-03-02 |
公开(公告)号: | CN101027759A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | Y·蔡;H·H·朱;S·李;S·S·康 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;刘杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种通过在该要蚀刻的层和衬底上面的光刻胶掩模之间带有ARC层的光刻胶掩模蚀刻一个层用的方法。把该衬底放入处理室。向该处理室提供ARC打开气体混合物。该ARC打开气体混合物包括蚀刻剂气体以及包括CO和CH3F的聚合气体。ARC打开等离子体是从该ARC打开气体混合物形成的。ARC层用该ARC打开等离子体蚀刻,直到ARC层打开为止。在该要蚀刻的层完全蚀刻以前停止该ARC打开气体混合物。 | ||
搜索关键词: | 边缘 粗糙 控制 | ||
【主权项】:
1.一种通过光刻胶掩模蚀刻层的方法,在要蚀刻的层和衬底上面的光刻胶掩模之间带有ARC层,所述方法包括:把该衬底置入处理室;向该处理室提供ARC打开气体混合物,其中该ARC打开气体混合物包括:蚀刻剂气体;和聚合气体,包括CO和CH3F;从ARC打开气体混合物形成ARC打开等离子体;用ARC打开等离子体蚀刻该ARC层,直到ARC层打开为止;和在完全蚀刻要蚀刻的层以前停止ARC打开气体混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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