[发明专利]具有降低高度的衬底承载体无效
| 申请号： | 200580013972.3 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1950928A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 马丁·R·埃利奥特;迈克尔·R·瑞斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种第一衬底承载体，其具有适于存储一个或更多衬底的主体；以及(1)具有延伸进入主体的存储区域中的一个或更多耦合特征的底表面或(2)在主体旁边延伸的耦合特征中的一者，使得衬底承载体的整体高度不会因耦合特征的总高度而增加。还提供了很多其他方面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 高度 衬底 承载 | ||
【主权项】：
1.一种衬底承载体，包括：适于存储一个或更多衬底的主体，所述主体包括适于存储衬底的衬底存储区域；以及底表面，其具有一个或更多耦合特征，所述耦合特征适于延伸进入将由置于所述衬底存储区域内的衬底所占据的覆盖区域之外的所述衬底存储区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580013972.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含安溴索的局部制剂
- 下一篇：工业用卷帘门的高负荷操作
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
