[发明专利]场效应晶体管及其制造方法和使用其的电子设备无效
| 申请号： | 200580014058.0 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1950950A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 竹内孝之;川岛孝启;斋藤彻;奥泽智宏;北冈康夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管，其包括半导体层(14)、与半导体层(14)电连接的源电极(15)以及漏电极(16)、和用于对源电极(15)和漏电极(16)之间的半导体层(14)施加电场的栅电极(12)，半导体层(14)包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 使用 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：半导体层、与所述半导体层电连接的源电极以及漏电极、和用于向所述半导体层施加电场的栅电极，所述半导体层包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。
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