[发明专利]用于增进信道载子移动性之具有高应力衬料之基于Si－Ge的半导体装置有效
| 申请号： | 200580014063.1 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1950946A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | S－P·孙;D·E·布朗 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 藉由采用应力衬料增加在Si－Ge装置的晶体管信道区内之载子移动性，于实施例中包括在松弛源极/漏极区上运用高压缩或拉伸应力膜，并且在其它实施例中包括于除去硅化物间隔件后，在P－信道或N－信道晶体管的栅极电极(72)与应变硅源极/漏极区(71)之上方，各别地运用高压缩(90)或高拉伸应力膜(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增进 信道 移动性 具有 应力 衬料 基于 si ge 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：基板，包含在硅-锗层(70)上具有应变晶格的硅层(70)；晶体管，包含源极/漏极区以及在基板上方且两者之间有栅极介电质层(73)的栅极电极；以及受应力介电质衬料(90，120)，位于栅极电极的侧表面上方以及源极/漏极区上方。
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