[发明专利]制备黄铜矿化合物薄层的方法无效
申请号: | 200580014083.9 | 申请日: | 2005-05-03 |
公开(公告)号: | CN101040390A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | T·迈耶;T·阿约蒂亚;M·凯林 | 申请(专利权)人: | 索拉罗尼克斯股份公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张力更 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种方法,根据这种方法,首先在基材上沉积含有属于黄铜矿组成的金属的无机盐和有机粘结剂的溶液。然后,通过干燥能够得到在该基材上的固体层,最后,让该层与含有一种或多种周期表第16族元素的气氛接触,并通过热反应生成黄铜矿。 | ||
搜索关键词: | 制备 黄铜矿 化合物 薄层 方法 | ||
【主权项】:
1.在基材上制备黄铜矿层的方法,其特征在于首先至少一次在该基材上沉积至少由含有至少一种属于黄铜矿组成的金属的无机盐和有机粘结剂的极性溶剂组成的溶液的薄液膜,然后,干燥所述的液膜,得到覆盖该基材的固体层,并且通过在含有至少一种周期表第16族元素的气氛中使所述固体层进行接触,通过热反应生成黄铜矿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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