[发明专利]用于太阳能电池制造的沉积半导体薄层的技术和装置无效
| 申请号： | 200580014108.5 | 申请日： | 2005-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101027749A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | B·M·巴索 | 申请（专利权）人： | 索洛动力公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴亦华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明以不同实施方式有利地提供低成本沉积技术以形成高质量、致密、良好粘附的并具有宏观尺度和微观尺度组成均匀的IBIIIAVIA化合物薄膜。在一个实施方式中，提供在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法。该方法包括在基底上沉积IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料，相互混合IB族材料和至少一层IIIA族材料以形成相互混合的层，在相互混合的层上形成包括至少一层IIIA族材料亚层和IB族材料亚层的金属薄膜。还描述了其它实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 制造 沉积 半导体 薄层 技术 装置 | ||
【主权项】：
1.在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法，包括；在基底上沉积IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料；相互混合IB族材料薄膜和至少一层IIIA族材料以形成相互混合的层；和在相互混合的层上形成包括至少一层IIIA族材料亚层和IB族材料亚层的金属薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索洛动力公司，未经索洛动力公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580014108.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋转式中包冷却系统
- 下一篇：基于内容的视频检索系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
