[发明专利]抬高的源/漏区处理中加入可去除隔离壁的半导体制造方法

摘要

一种半导体制造工艺包括在衬底(108)上形成栅电极(110)。邻接栅电极的侧壁形成第一氮化硅间隔壁(122)，然后邻接补偿间隔壁形成可去除氮化硅间隔壁(130)。然后外延形成有可去除间隔壁(122)的边界限定的抬高的源/漏区结构(132)。然后除去可去除间隔壁(130)，暴露出最接近栅电极(110)的衬底(108)，并在最接近栅电极的暴露衬底中导入浅注入，例如晕圈(140)或延长注入(142)。大致在存在可去除间隔壁(130)的位置形成替换间隔壁(136)，进行源/漏区注入(140)，在抬高的源漏区(132)导入源/漏区杂质分布。栅电极(110)可以包括位于上方的氮化硅帽盖层(144)，第一氮化硅间隔壁(122)可以与帽盖层(144)相接触，以在氮化硅中包围多晶硅栅电极(110)。

主权项

1.一种半导体制造工艺，包括；在衬底上形成栅电极；邻接栅电极的侧壁形成第一氮化硅间隔壁；邻接补偿间隔壁形成可去除氮化硅间隔壁；在未被栅电极或可去除间隔壁保护的衬底区域上方形成抬高的源/漏区结构；不除去补偿间隔壁，除去可去除间隔壁，暴露出最接近栅电极的衬底；在最接近栅电极的暴露衬底中注入杂质分布；大致在存在可去除间隔壁的位置形成替换间隔壁；和进行源/漏区注入，在抬高的源漏区导入源/漏区杂质分布。