[发明专利]半导体存储器装置有效

专利信息
申请号: 200580014359.3 申请日: 2005-04-25
公开(公告)号: CN1950910A 公开(公告)日: 2007-04-18
发明(设计)人: 田村和明;泉智绍;笠原哲志;中西雅浩;松野公则;井上学 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G06F12/16;G11C16/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体存储器装置,当读出传送源的数据时产生错误时,不会在包含错误的状态下将数据写入传送目的端。在包含数据写入单位比物理块小的非易失性存储器2的半导体存储器装置1中,在非易失性存储器2的内部设置错误检测及校正电路23。将存储在非易失性存储器2内的预定物理块的数据传送并写入到不同的物理块中时,错误检测及校正电路23进行数据的错误检测与校正。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
1.半导体存储器装置,包含: 非易失性存储器,具有存储区域、和数据的错误检测及校正电路, 所述存储区域包括数据的最小删除单位的复数个物理块且数据写入单 位比所述最小删除单位小;以及 存储器控制器,控制所述非易失性存储器的数据写入及读出, 其中,所述存储器控制器以如下方式进行控制,在所述存储器控 制器将存储在所述非易失性存储器内的预定物理块的数据传送并写入 到与所述预定物理块不同的物理块中时,所述错误检测及校正电路对 所述物理块的数据进行错误检测校正。
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