[发明专利]用于快闪存储装置中保护字线的方法及装置有效
| 申请号： | 200580014381.8 | 申请日： | 2005-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1954432A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | M·W·伦道夫 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8246;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明呈现用于保护在制造期间来自工艺相关的充电的快闪存储字线(WL)及存储单元(101)的方法(10)及结构。未掺杂的多晶硅(110b)形成在掺杂的多晶硅字线(110a)的末端以产生电阻器(110b)，透过该电阻器(110b)工艺电荷为放电至与衬底(102)连接的掺杂的多晶硅放电结构(110c)。该字线(110a)、电阻器(110b)及该放电的结构(110c)可以形成为单一摹制的多晶硅结构，其中该字线(110a)及放电结构(110c)为选择性地掺杂成为具传导性并且该电阻器部分(110b)为实质上未掺杂的以提供足够高的电阻以允许在制造之后的正常的单元单元运作，同时提供在制造期间用于工艺相关的充电的放电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 装置 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于快闪存储单元(101)的字线结构的方法(10)，该方法包括：形成(28、30)传导字线结构(118a)于至少其中一个快闪存储单元(106)的浮动栅极或电荷捕捉材料(106)之上的步骤；以及形成(32、34)电阻器(110b)于该传导字线结构(110a)及衬底(102)之间的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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