[发明专利]快速低压降（LDO）PFET调节器电路有效
| 申请号： | 200580014548.0 | 申请日： | 2005-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1997951A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | E·J·W·维特克 | 申请（专利权）人： | 硅锗半导体（美国）公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 彭家恩 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在两个运行模式下运行的低压降(LDO)PFET调节器电路。对于所述LDO PFET调节器电路正常运行的较高电源电压电位来说，当电源电压电位下降时，所述LDO PFET调节器在第二运行模式下运行，其中判定电路确定是否向其供应第一升压电流以便补偿第一PFET的减小的互阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 低压 ldo pfet 调节器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于从供给电压源提供经调节的输出电压的低压降(LDO)调节器电路，其包括：调节器电路，其包括输出端口和具有栅极、漏极和源极端子的第一调节FET，所述输出端口耦合到所述漏极端子以从所述漏极端子提供所述经调节的输出电压，所述第一调节FET用于当所述供给电压源的电位在预定电位以上时在第一运行模式下运行；和，判定电路，其用于判定当所述电源电压的电位是处于所述预定电位和在所述预定电位以下之一时是否增加到所述第一调节FET的跨导，使得所述第一调节FET在第二运行模式下运行。
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